Wafer HV

High power wafer test and sort

Equipment

Sonda wafer HV a 1 sito (6 kV / 200 A)

FTI-1000 è progettato per test ad alta copertura a livello wafer di dispositivi semiconduttori e tecnologie wide-bandgap, con elevata idoneità per applicazioni multisito su probe.

FTI-1000 risponde alle esigenze di caratterizzazione dei parametri DC e AC direttamente in wafer probe, supportando sia attività di caratterizzazione ingegneristica sia test wafer ad alto volume. Grazie all’architettura modulare Tester-per-Channel Board, è possibile configurare risorse indipendenti all’interno di un’unica piattaforma flessibile e scalabile, adattabile a qualsiasi requisito di test a livello wafer.

Il controllo è gestito tramite FTI Studio, un’interfaccia grafica intuitiva che semplifica il bring-up della probe card, lo sviluppo dei programmi di test e il debug, rendendo il sistema pienamente accessibile sia ai progettisti sia ai Test Engineer.

Motivi

Facile da configurare

Il setup semplice e le opzioni flessibili consentono di adattare rapidamente il sistema alle esigenze di test.

Copertura di test per applicazioni ingegneristiche

Supporta un’ampia gamma di test elettrici per la completa caratterizzazione dei dispositivi in fase di sviluppo

Facilità d’uso

Interfacce chiare e controlli intuitivi garantiscono un funzionamento fluido per i team di engineering e produzione.

Presentazione del prodotto

FTI-1000 è un sistema ATE progettato specificamente per test ad alta copertura a livello wafer di dispositivi discreti di potenza, componenti wide-bandgap e power IC con gate driver integrato. Idoneo sia per la caratterizzazione ingegneristica sia per wafer sort ad alto volume, il sistema integra risorse di test DC e AC indipendenti in grado di misurare tutti i principali parametri MOSFET, inclusi caratteristiche DC, ΔVsd, switching induttivo (UIL/UIS/CIS), carica di gate e resistenza di gate. L’architettura modulare Tester-per-Channel Board, basata su framework USB, consente un’espansione semplice del sistema e un’elevata flessibilità di configurazione per applicazioni di probe single-site e multisite.

Grazie alla partizione flessibile delle risorse e a opzioni plug-in quali estensioni ad alta tensione, moduli impulsivi ad alta corrente, digitizer e misura Rg basata su LCR, FTI-1000 si adatta in modo fluido a un’ampia gamma di requisiti di test a livello wafer mantenendo un ingombro compatto. L’architettura si integra agevolmente con wafer prober automatici e interfacce probe card—senza vincoli verso specifiche piattaforme meccaniche—risultando efficace sia per caratterizzazione iniziale del dispositivo e sviluppo di processo sia per operazioni di wafer sort ad alto volume.

Il software FTI Studio supporta lo sviluppo efficiente dei programmi di test tramite strumenti quali acquisizione di forme d’onda, generazione automatica di data-sheet, schmoo plot e analisi PAT secondo AEC-Q001 Rev. C. La combinazione di hardware modulare, copertura di test completa e software intuitivo rende FTI-1000 una soluzione ideale per il wafer test quando flessibilità, scalabilità e prestazioni elevate sono essenziali, in particolare nei settori automotive, industriale e dei dispositivi di potenza wide-bandgap.

CARATTERISTICHE/CONFIGURAZIONI

Wafer HV

Wafer MV

Number of test sites
1
up to 16
DC parametric test
Rdson, Idon, Vce(sat), Vgs, Gfs, Igss, Idss, etc.
Rdson, Idon, Vce(sat), Vgs, Gfs, Igss, Idss, etc.
Gate oxide and quality
Rg, Cg, Qg
Rg, Cg, Qg
Thermal die-attach quality
dVsd/Vgs
dVsd/Vgs
UIS avalanche body diode quality
UIL, EAR, EAS
UIL, EAR, EAS

Dimensions

D⨯W⨯H
541mm ⨯ 345mm ⨯ 206mm
Power Supply: 345mm ⨯ 176mm ⨯ 103mm
541mm ⨯ 345mm ⨯ 206mm
Power Supply: 345mm ⨯ 176mm ⨯ 103mm

Digital

Digital Channels
Option for 8 independent Digital Channels (IC Channel Board)
Option for 8 independent Digital Channels (IC Channel Board)

AC Source

Voltage
5.5kV
1.2kV
Current
200A
100A
Energia a valanga
>10J
>10J
Gate Voltage
+/-25V
+/-25V

Misc.

Gate Resistance
0,10,25,50 Ω , plus user pluggable R
0,10,25,50 Ω , plus user pluggable R
Load Inductor
Pluggable discrete inductors or selectable inductor box
Pluggable discrete inductors or selectable inductor box

DC Source

Voltage
6kV
1.2kV
Current Drive Range (HV)
10mA
25mA
Current
200A
100A

Maggiori informazioni